Мой сайт Пятница, 29.03.2024, 12:40
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | | Регистрация | Вход
» Меню сайта

» Категории раздела
Новости науки и техники [571]
Science and Technology [11]
Новости наномира [3]
Сплавы [4]
Трибология [0]
Водород [4]

» Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

» Форма входа

Главная » 2012 » Январь » 06

Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой

Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.

В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.

< ... Читать дальше »
Категория: Новости науки и техники | Просмотров: 448 | Добавил: Professor | Дата: 06.01.2012 | Комментарии (2)

» Поиск

» Календарь
«  Январь 2012  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031

» Архив записей

» Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz


  • Copyright MyCorp © 2024
    Сделать бесплатный сайт с uCoz