Терагерцевые импульсы и экситоны изменят электронику до неузнаваемости

Исследователи из Киотского университета объявили о прорыве и больших перспективах в создании сверхскоростных транзисторов и высокоэффективных фотоэлементов.

Работая с обычным и широко распространенным полупроводниковым материалом, арсенидом галлия (GaAs), ученые заметили, что облучение образца GaAs терагерцевыми (1000 гигагерц) импульсами электрического поля вызывает лавину пар электрон-дырка (экситонов).

За один цикл с длинной импульса всего лишь около пикосекунды (10^-12 с), ... Читать дальше »