Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой
Исследователи из Университета Пердью и
Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для
изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на
смену традиционному кремнию.
В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире
процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает
переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые
микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по
сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.
Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению
14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая
миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом
трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на
размеры элементов.
 Рис. 1. Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой (иллюстрация Intel).
Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники
группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и
азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.
По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с
трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это
означает возможность разработки более производительных процессоров с
меньшим энергопотреблением.
Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
- Источник(и):
1. Университет Пердью 2. compulenta.ru
http://www.nanonewsnet.ru/news/2012/predlozhen-novyi-sposob-izgotovleniya-tranzistorov-s-trekhmernoi-strukturoi
| 
