Гейм и Новоселов избавили графеновые транзисторы от утечки электронов

Нобелевские лауреаты Константин Новоселов и Андрей Гейм, работающие в университете Манчестера, разработали метод нейтрализации высоких токов утечки в графеновых транзисторах, что позволит создавать высокоэффективные полупроводниковые микросхемы на основе графена, не беспокоясь о перегреве, говорится в статье, опубликованной в журнале Science.

Группа под руководством Новоселова смогла нейтрализовать основное препятствие на пути к графеновой микроэлектронике – **высокие токи утечки в транзисторах***, вставив пленки гр ... Читать дальше »