Мой сайт Пятница, 29.03.2024, 00:28
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | | Регистрация | Вход
» Меню сайта

» Категории раздела
Новости науки и техники [571]
Science and Technology [11]
Новости наномира [3]
Сплавы [4]
Трибология [0]
Водород [4]

» Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

» Форма входа

Главная » 2012 » Февраль » 05

Гейм и Новоселов избавили графеновые транзисторы от утечки электронов

Нобелевские лауреаты Константин Новоселов и Андрей Гейм, работающие в университете Манчестера, разработали метод нейтрализации высоких токов утечки в графеновых транзисторах, что позволит создавать высокоэффективные полупроводниковые микросхемы на основе графена, не беспокоясь о перегреве, говорится в статье, опубликованной в журнале Science.

Группа под руководством Новоселова смогла нейтрализовать основное препятствие на пути к графеновой микроэлектронике – **высокие токи утечки в транзисторах***, вставив пленки гр ... Читать дальше »

Категория: Новости науки и техники | Просмотров: 560 | Добавил: Professor | Дата: 05.02.2012 | Комментарии (2)

» Поиск

» Календарь
«  Февраль 2012  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
272829

» Архив записей

» Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz


  • Copyright MyCorp © 2024
    Сделать бесплатный сайт с uCoz