Созданы образцы памяти нового типа с углеродными нанотрубками
Опубликовано ssu-filippov в 14 июля, 2011 - 03:21
Учёным из Стэнфордского университета
(США), проводившим исследования под руководством профессора Филипа Вонга
(Philip Wong), удалось получить образцы ячеек памяти, в которых роль
электродов играют углеродные нанотрубки.
Исследователи экспериментировали с резистивной памятью с произвольным
доступом (RRAM) и памятью с изменяемым фазовым состоянием (PCM). Оба
типа энергонезависимой памяти рассматриваются в качестве потенциальной
альтернативы флеш-накопителям. Микросхемы RRAM и PCM, как ожидается,
смогут обеспечить более
...
Читать дальше »
