Компания Samsung планирует в 2013-2014 году начать производство объемной "кубической" памяти
Компания Samsung Electronics, один из крупнейших
мировых производителей динамической оперативной памяти (dynamic random
access memory, DRAM), объявила о своих планах касательно развития
направления многослойной кубической памяти (multi-layer hyper memory
cube, HMC). Согласно этим планам к концу 2012 года должен быть выработан
единый отраслевой стандарт, а массовое производство памяти HMC должно
начаться в 2013–2014 году.
Память HMC разрабатывается для того, что бы прорваться сквозь узкое
место современных вычислительных систем, называемое «барьером памяти
/memory wall», которое в настоящее тормозит развитие многоядерных,
многозадачных микропроцессорных систем.
 Рис. 1.
«Барьер памяти» представляет собой противоречие,
вызванное разницей между скоростями работы центрального процессора и
системой памяти, расположенной за пределами чипа. Основную роль в
возникновении этого противоречия играет ограниченная пропускная
способность внешних шин данных, по которым осуществляется передача
информации в и из памяти. За период с 1986 по 2000 год скорости
центральных процессоров увеличились в среднем на 55%, а скорость работы
памяти за этот период выросла всего на 10%, что только усугубило
ситуацию с «барьером памяти».
«Мы ожидаем, что наша группа закончит разработку единого отраслевого
стандарта для первого варианта реализации памяти HMC к концу 2012 года.
В течение года или двух после этого первые продукты на базе HMC должны
достичь потребительского рынка и составить конкуренцию памяти DRAM в
мобильных устройствах, компьютерах и сетевом оборудовании» – поделился
планами компании Джим Элиот (Jim Elliott), вице-президент Samsung по
американскому региону.
 Рис. 2.
 Рис. 3.
Определенные шаги в этом направлении предпринимает компания Intel
Corp., представители которого на проходившем в сентябре месяце форуме
Intel Developer Forum продемонстрировали опытные образцы Hybrid Memory
Cube, разработанные совместными усилиями специалистов Intel и Micron.
Память Hybrid Memory Cube демонстрирует совершенно новый подход к
созданию чипов памяти, помимо этого, по сравнению с памятью DDR3 новая
память показывает семикратное увеличение энергоэффективности. Память
типа Hybrid Memory Cube представляет собой уложенные в «штабель» обычные
чипы памяти, формирующие компактную кубическую структуру.
Такая структура динамической памяти может обеспечить
скорость передачи информации вплоть до 1 Тбит/с, что может вывести на
совершенно новый качественный уровень серверные системы, предназначенные
для построения систем «облачных» вычислений, планшетные, мобильные
компьютеры и смартфоны.
- Источник(и):
1. xbitlabs.com 2. DailyTechInfo
http://www.nanonewsnet.ru/articles/2011/kompaniya-samsung-planiruet-v-2013-2014-godu-nachat-proizvodstvo-obemnoi-kubicheskoi-p
|
